COB3030集成光源封裝工藝：
其三從光源所使用的芯片方面，COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片，但不是主要的，而集成LED燈珠一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片；
“三五年后，cob封裝會(huì)迎來大爆發(fā)，洋品牌會(huì)漸漸退出中國(guó)市場(chǎng)。”硅能照明總經(jīng)理夏雪松表示，因?yàn)閺漠a(chǎn)業(yè)規(guī)律，以及一個(gè)地區(qū)所需要的綜合資源來講，大陸擁有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，而現(xiàn)階段cob正面臨著定制化需求的過程，未來肯定會(huì)成為國(guó)內(nèi)照明市場(chǎng)的主流方向。
3030集成光源
COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進(jìn)行接觸測(cè)量小結(jié)
COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實(shí)際工作中芯片的結(jié)溫遠(yuǎn)低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實(shí)現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時(shí)，熒光粉和硅膠會(huì)吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會(huì)導(dǎo)致發(fā)光面熱量較為集中，導(dǎo)致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測(cè)量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會(huì)吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測(cè)量值偏高。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢(shì)，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應(yīng)用多年，但對(duì)于廣大的燈具制造商和消費(fèi)者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。
3030集成光源在終端市場(chǎng)對(duì)性價(jià)比極致追求下，COB國(guó)產(chǎn)化正在加速。隨著標(biāo)準(zhǔn)不斷統(tǒng)一，COB的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將不斷升級(jí)。未來，技術(shù)升級(jí)仍是提升COB性能，降低價(jià)格的制勝法寶。3030集成光源Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。
