其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。COB支架光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的COB支架光源

石墨烯散熱或成COB+玻璃透鏡的絕佳催化劑跟傳統(tǒng)的COB解決方案相比，明朔科技石墨烯散熱的創(chuàng)新解決方案可通過石墨烯散熱技術(shù)及散熱器的結(jié)構(gòu)設計，提升系統(tǒng)散熱效率，有效的降低光源的芯片溫度及膠面溫度，從而提高效能，降低光衰，保證產(chǎn)品壽命;通過多顆COB+多自由曲面復合式結(jié)構(gòu)透鏡的方式可進一步提升散熱效率，提高效能，降低透鏡表面亮度，減小散熱器體積;通過對玻璃透鏡光學設計的不斷優(yōu)化及創(chuàng)新性嘗試，在滿足相關(guān)國標、國際標準的前提下，可進一步提高配光效率及光品質(zhì);根據(jù)COB光源的特性及應用匹配特性，從發(fā)光效能、光學配光匹配、散熱方式匹配等角度出發(fā)，定制相關(guān)COB光源的原材料及封裝形式，進一步發(fā)揮產(chǎn)品的優(yōu)勢特性。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。

COB支架光源COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進行接觸測量COB主要是應用于商業(yè)照明領(lǐng)域，如軌道射燈、天花燈、MR16、GU10等燈具中，并成功解決了兩方面問題：一、COB光源由于熱量集中帶來的散熱問題，通過結(jié)構(gòu)的設計保證了散熱的通暢，確保了COB光源在工作期間結(jié)溫在安全值以下;二、采用鱗甲結(jié)構(gòu)的反光杯或透鏡結(jié)構(gòu)，解決了燈具光斑的色均勻性。這兩個方面的技術(shù)突破，使得國星光電COB燈具壽命及光品質(zhì)有保證。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。

COB支架光源4)、在所述整體圍壩所圍成的區(qū)域內(nèi)填充熒光膠，待所述熒光膠平鋪后，將所述基板放進離心設備中進行旋轉(zhuǎn)COB支架光源現(xiàn)在國產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產(chǎn)和進口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應當前商照市場需求。，使所述熒光膠中的熒光粉沉淀到所述熒光膠的下部；5)、將離心旋轉(zhuǎn)后的所述基板放入烤箱烘烤，待所述熒光膠固化后取出，形成COB光源。