我認(rèn)為
COB光源需要不斷提高性價比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會增加，單位面積的功率可以做的更高;其次，LED芯片需要繼續(xù)提高性價比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定;再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。
3V集成光源LED集成光源和
COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的3V集成光源
。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。3V集成光源在當(dāng)時的環(huán)境下，研發(fā)COB有其合理性，這和后來COB的再開發(fā)有本質(zhì)區(qū)別。COB在2012年，是作為一種全新的光源被再次“發(fā)明”了出來的3V集成光源
光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。其動因是市場對LED產(chǎn)品長期停滯不前的失望。然而，COB的技術(shù)問題并沒有隨著時間而改善，依舊被封裝和大功率的質(zhì)量穩(wěn)定性阻礙其發(fā)展。
3V集成光源4)、在所述整體圍壩所圍成的區(qū)域內(nèi)填充熒光膠，待所述熒光膠平鋪后，將所述基板放進(jìn)離心設(shè)備中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)3V集成光源現(xiàn)在國產(chǎn)
cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場需求。，使所述熒光膠中的熒光粉沉淀到所述熒光膠的下部；5)、將離心旋轉(zhuǎn)后的所述基板放入烤箱烘烤，待所述熒光膠固化后取出，形成
COB光源。
