現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國(guó)產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過(guò)120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場(chǎng)需求。90W集成光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的90W集成光源

對(duì)于COB光源接下來(lái)的發(fā)展，首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價(jià)格降下來(lái)；其次是從小功率向中、大功率發(fā)展；最后是結(jié)合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。多方熱議。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片。光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過(guò)率，從而造成較大的光輸出功率衰減。

90W集成光源COB（chip-on-board），是指芯片直接在整個(gè)基板上進(jìn)行邦定封裝，即在里基板上把N個(gè)芯片繼承集成在一起進(jìn)行封裝。主要用來(lái)解決小功率芯片制造大功率LED燈問(wèn)題，可以分散芯片散熱，提高光效，同時(shí)改善LED燈的眩光效應(yīng)。COB光通量密度高，眩光少光柔和，發(fā)出來(lái)的是一個(gè)均勻分布的光面，目前在球泡，射燈，筒燈,日光燈，路燈，工礦燈等燈具上應(yīng)用較多Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過(guò)程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹(shù)脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。（MuiltiChipsOnBoard），即多杯集成式COB封裝技術(shù)，它是COB封裝工藝的拓展,MCOB封裝是把芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序.LED芯片光是集中在杯內(nèi)部的，要讓光線(xiàn)更多的跑出來(lái)，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫。

90W集成光源技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供的COB光源制作方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中COB未來(lái)一方面會(huì)朝標(biāo)準(zhǔn)化方向發(fā)展，形成標(biāo)準(zhǔn)化的外形尺寸、電學(xué)參數(shù)、色分檔;一方面會(huì)朝更高集成度方向發(fā)展。首卓·LED照明營(yíng)銷(xiāo)中心總經(jīng)理陶文明眾所周知，商業(yè)場(chǎng)所對(duì)照明產(chǎn)品的顯指、照度、色溫、光效等都有著較高的要求，而COB光源很好地滿(mǎn)足了以上需求。COB光源發(fā)光均勻，且很好地解決了光斑問(wèn)題，并可有效進(jìn)行二次光學(xué)配套，更加迎合了商業(yè)場(chǎng)所重點(diǎn)照明應(yīng)用需求。，COB光源長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的溫度90W集成光源，導(dǎo)致熒光膠開(kāi)裂或芯片衰減嚴(yán)重，降低了COB光源的使用壽命的問(wèn)題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，包括以下步驟：